ESD-Wissen

ESD-Schadensmechanismen in Halbleitern

Eine Entladung kann lokale Erwärmung, Stromdichte, dielektrischen Durchbruch oder Übergangsschäden verursachen. Der beobachtete Mechanismus beschreibt die physische Veränderung, beweist aber ohne Ereignis- und Prozessdaten nicht automatisch die ursprüngliche Stressquelle.

Elektrisch und thermisch gekoppelt

Pulsform, Strompfad, Schutzstruktur, Geometrie und Material bestimmen, wo Energie umgesetzt wird und welche Parameter ausfallen.

Schaden und Ursache trennen

Metallschmelze oder Oxiddurchbruch kann zu einer Hypothese passen; alternative elektrische Überlastungen werden systematisch mitbewertet.

Quellen und weiterführende Dokumente

Fachlich geprüft

August 2026

Verwandte Begriffe

Begriff

ESDS

ESDS sind Bauteile, Baugruppen oder Geräte, die durch elektrostatische Ereignisse beschädigt oder beeinträchtigt werden können.

Ratgeber

MOSFET und ESD

MOSFETs können aufgrund empfindlicher Strukturen durch unterschiedliche ESD-Ereignisse geschädigt werden; die konkrete Robustheit liefert der Hersteller.

Ratgeber

ESD- oder EOS-Schaden: Unterschiede

ESD und Electrical Overstress anhand von Ereignis, Energie, Schadensbild und Prozessdaten unterscheiden.

Relevante Normen

Norm

IEC 61340-5-1

Zentrale Norm für den Schutz elektronischer Bauelemente vor elektrostatischen Phänomenen: allgemeine Anforderungen.

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